DMP2165UW-13

DMP2165UW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-323封装，集成了高性能的功率开关功能，其核心设计旨在实现低导通电阻与低栅极电荷的优化平衡。这种架构使得芯片在提供高效电流处理能力的同时，显著降低了开关损耗和驱动功率需求，为空间受限的便携式或高密度应用提供了理想的电源管理解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大连续漏极电流(Id)可达2.5A，并支持高达20V的漏源电压(Vdss)，确保了在常见低压系统中的稳定工作余量。其导通电阻(Rds(on))在Vgs为4.5V、Id为1.5A的条件下，最大值仅为90毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1V，且驱动电压范围覆盖1.8V至4.5V，使其能够完美兼容现代低电压逻辑电路（如1.8V、3.3V、5V），实现直接驱动，简化了外围电路设计。

在动态参数方面，DIODES中国代理提供的技术资料显示，DMP2165UW-13在Vgs为4.5V时的最大栅极电荷(Qg)仅为3.5nC，结合最大335pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其极快的开关速度，有助于减少开关过渡时间并降低高频应用中的开关损耗。器件的栅源电压(Vgs)最大可承受±12V，提供了良好的抗干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装型SOT-323封装，最大功耗为500mW，适合在严苛的环境下进行自动化贴装生产，满足工业级产品的可靠性要求。

基于其优异的性能组合，DMP2165UW-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。其主要应用场景包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等消费电子设备中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路。此外，在分布式电源系统、电机驱动控制模块、低压DC-DC转换器的同步整流侧，以及各类需要高效功率切换的嵌入式系统中，该器件都能发挥关键作用，是实现系统小型化、高效化和高可靠性的重要组件。

• 型号:DMP2165UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:335 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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