DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13 是一款采用先进沟槽工艺技术制造的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，在有限的占板面积内集成了强大的功率处理能力，其架构优化了电流通路与热传导路径，确保了在高电流密度下的可靠性与稳定性。

该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在Vgs=10V、Id=13.5A的条件下，最大值仅为4.6毫欧。这一关键特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了电源转换效率，尤其适用于对能效要求苛刻的应用。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为86nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，从而减少开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，DIODES代理商提供的这款器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和高达17.6A的连续漏极电流（Id）能力，为其在低压大电流场景中的应用提供了坚实的保障。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值低至2.3V，确保了与主流低压逻辑电平控制器的良好兼容性，便于直接驱动。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，适合自动化回流焊工艺，满足现代高密度电子组装的需求。

基于其优异的性能组合，DMN3008SFG-13非常适合作为负载开关、电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管，广泛应用于服务器电源、通信设备、消费类电子产品的电源管理模块以及便携式设备的电池保护电路中。其高效率和良好的热性能有助于系统实现更紧凑的设计和更长的运行时间。

• 型号:DMN3008SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3690 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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