DMN3009LFV-13

Diodes Incorporated推出的DMN3009LFV-13是一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管，其核心设计旨在提供卓越的功率处理能力与开关效率。该器件基于金属氧化物半导体场效应晶体管技术构建，采用优化的单元结构，在紧凑的封装内实现了极低的导通电阻与栅极电荷，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，提升了整体系统的能效与功率密度。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压和高达60A的连续漏极电流处理能力，使其能够胜任中高电流应用场景。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为5.5毫欧，这显著减少了导通状态下的功率耗散。同时，其栅极电荷Qg最大值控制在42nC，结合4.5V至10V的典型驱动电压范围，意味着它能够被快速驱动，实现高效率的开关动作，并简化了栅极驱动电路的设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取此型号产品。

在电气接口与参数方面，DMN3009LFV-13的栅源电压耐受范围为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。其输入电容Ciss在15V Vds条件下最大值为2000pF，与低栅极电荷共同决定了其快速的开关响应特性。器件的阈值电压Vgs(th)最大值为3V，确保了良好的噪声抑制能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，结合表面贴装的PowerDI3333-8封装形式，该封装具有良好的热性能，有助于在2W（Ta）的最大功率耗散下维持稳定运行，适合自动化贴装和高密度PCB布局。

凭借其优异的电气特性，DMN3009LFV-13非常适合应用于需要高效功率转换和管理的领域。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和负载开关、电动工具及无人机的电机驱动控制、笔记本电脑和移动设备的电源管理系统。其高电流能力与低导通电阻的组合，使其在电池供电系统中能有效延长运行时间，而在空间受限的便携式电子设备中，其小型化的PowerDI3333封装是实现高性能、高可靠性设计的理想选择。

• 型号:DMN3009LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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