DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的功率处理能力与热性能平衡。其核心设计旨在优化开关性能与导通损耗，通过精密的芯片布局与封装技术，有效降低了寄生参数，为高效率、高密度的电源转换应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)与高达60A的连续漏极电流(Id)承载能力，使其非常适用于低压、大电流的开关环境。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压(Vgs)与30A测试条件下典型值仅为5.5毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件拥有出色的栅极电荷(Qg)特性，最大值仅为42nC @ 10V，结合适中的输入电容(Ciss)，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，DMN3009LFV-7的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅极-源极电压(Vgs)可承受±20V的最大值，提供了良好的设计余量和抗干扰能力。其阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了在噪声环境下的稳定关断。器件的结温(TJ)工作范围覆盖-55°C至150°C，并采用热增强型PowerDI3333封装，有助于将芯片产生的热量高效导出至PCB，满足严苛环境下的可靠性要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与设计资源。

凭借其高性能指标，该器件主要面向空间受限且对效率要求极高的应用场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点降压转换器）、电机驱动控制以及电池保护电路中的理想选择。在服务器、电信设备、笔记本电脑的电源管理系统，以及各类便携式电子设备的功率分配单元中，DMN3009LFV-7能够有效提升功率密度和整体能效，是现代紧凑型电源设计的关键组件。

• 型号:DMN3009LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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