DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，确保了在低栅极驱动电压下也能获得优异的开关性能与导通损耗控制。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss），为其在低压直流应用中的稳定运行提供了充足的裕量。其导通电阻（Rds(on)）表现突出，在10V栅极驱动电压（Vgs）和18A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为8.5毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低，有助于提升系统整体效率并简化散热设计。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或通用逻辑电路直接驱动，简化了外围驱动电路。

在动态特性方面，DMN3010LFG-7的栅极总电荷（Qg）在10V Vgs下最大为37nC，结合其输入电容（Ciss）特性，共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关过程中的交叠损耗，尤其适用于高频开关应用。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定值为11A，而在管壳温度（Tc）下可达30A，展现了强大的电流处理能力。器件支持±20V的栅源电压，提供了良好的栅极可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取此产品。

凭借其低导通电阻、高电流能力、快速开关特性以及优异的散热性能（得益于PowerDI3333封装的低热阻），该器件非常适合用于需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和负载开关、电机驱动控制电路中的H桥下管、电池保护电路以及各类便携式设备中的电源管理模块。其表面贴装形式也完全符合现代自动化生产的需求。

• 型号:DMN3010LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2075 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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