DMN3016LDV-7

作为一款采用先进PowerDI3333-8封装的双N沟道MOSFET阵列，DMN3016LDV-7集成了两个性能一致的独立MOSFET单元，专为高密度、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构基于Diodes Incorporated成熟的沟槽工艺技术，实现了在紧凑封装内极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡。这种设计不仅提升了功率转换效率，也显著降低了开关损耗，使得器件在高速开关状态下仍能保持优异的温升表现。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的电气性能上。在25°C壳温条件下，每个通道可连续通过高达21A的漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在7A电流、10V栅源电压下典型值仅为12毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极阈值电压最大值为2V，确保了与主流低压逻辑电平的兼容性，便于驱动电路设计。其栅极电荷最大值仅为9.5nC，输入电容为1184pF，这些参数共同决定了其快速的开关响应速度，非常适合高频PWM应用。

在接口与参数方面，DMN3016LDV-7采用表面贴装的8-PowerVDFN封装，具有极小的占板面积和优异的热性能，有助于实现紧凑的PCB布局。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取完整的技术资料、样品及批量采购服务。

基于上述特性，该芯片非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。例如，在同步整流DC-DC转换器中，其双通道设计可用于上管和下管的配置；在电机驱动或H桥电路中，可高效控制电流方向；此外，在服务器电源、负载开关、电池保护电路以及各类便携式设备的电源管理模块中，DMN3016LDV-7都能凭借其高电流密度和低损耗特性，为系统整体性能的提升做出关键贡献。

• 型号:DMN3016LDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 21A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1184pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
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