DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（E类）封装，实现了高功率密度与卓越热性能的结合。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过降低栅极电荷和米勒电容，显著提升了开关性能，使其在同步整流、DC-DC转换及负载开关等高频应用中表现出色。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压和10A的连续漏极电流能力，为低压高电流应用提供了可靠的电压裕量。其导通电阻在10V驱动电压下典型值极低，最大值仅为12毫欧@11A，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。栅极驱动特性经过优化，阈值电压最大值为2V，并支持高达±20V的栅源电压，确保了与多种逻辑电平控制器（如3.3V、5V及更高电压）的兼容性和驱动简易性。此外，其低至25.1nC的栅极总电荷和合理的输入电容，共同降低了开关损耗，特别适合高频开关电源设计。

在接口与参数方面，器件采用标准的表面贴装形式，便于自动化生产。其热设计考虑了实际应用需求，结温工作范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为730mW（Ta），结合DFN封装优良的热阻特性，有助于系统散热管理。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

该器件的典型应用场景广泛，包括但不限于笔记本电脑、平板电脑和便携式设备的电源管理系统中的同步整流和负载开关，服务器及通信设备的分布式电源架构（DPA）模块，以及电机驱动、电池保护电路等对效率和空间有严格要求的领域。其优异的性能参数组合，使其成为追求高效率、高可靠性和小型化设计的工程师的理想选择。

• 型号:DMN3016LFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:730mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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