DMN3025LFDF-13

DMN3025LFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，实现了优异的功率密度与热性能平衡。其核心设计旨在提供极低的导通损耗和快速的开关特性，这对于提升现代电源转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下可支持高达9.9A的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（Vgs）和7A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为20.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。

在动态性能方面，栅极总电荷（Qg）在10V Vgs下最大值仅为13.2nC，结合641pF（在15V Vds下）的最大输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。器件的最大功耗为2.1W（Ta），其宽泛的结温工作范围从-55°C延伸至150°C，保证了在各种严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与相关服务。

凭借其表面贴装型封装和优异的电气参数，DMN3025LFDF-13主要面向空间受限且对效率要求高的应用场景。它非常适合用于DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，特别是在计算设备、网络通信设备的电源模块中。此外，在电机驱动控制、电池保护电路以及各类便携式设备的电源管理单元（PMU）中，该器件也能发挥其低损耗、高效率的优势，帮助系统设计实现更长的续航时间和更紧凑的物理尺寸。

• 型号:DMN3025LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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