DMN3025LFDF-7

DMN3025LFDF-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的U-DFN2020-6（F类）表面贴装器件中。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，通过优化单元结构和沟道工艺，在有限的芯片面积内实现了较高的电流处理能力。

该MOSFET的关键电气特性包括30V的漏源击穿电压（Vdss）和高达9.9A（Ta=25°C）的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V、Id=7A的条件下典型值仅为20.5毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极驱动方面，器件在4.5V至10V的驱动电压范围内即可实现良好的导通，其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为2V @ 250A，确保了与低电压逻辑电路的兼容性。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为13.2nC @ 10V，结合641pF @ 15V的输入电容（Ciss），共同构成了出色的高频开关性能，能有效降低开关过程中的驱动损耗和开关时间。

在接口与可靠性参数上，该器件栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了稳健的驱动保护。其最大功率耗散为2.1W（Ta），宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。紧凑的6引脚U-DFN封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其良好的热性能也有助于功率耗散。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其高电流密度、低导通电阻和快速开关能力，DMN3025LFDF-7非常适用于空间受限且对效率要求高的DC-DC同步整流、电机驱动、负载开关及电池保护电路等应用场景。它尤其适合在笔记本、移动设备、分布式电源系统及各类便携式电子产品中，作为主功率开关或同步整流元件，提升整体电源方案的功率密度和能效表现。

• 型号:DMN3025LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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