DMN3025LFG-13

DMN3025LFG-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，并封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件内部集成了优化的单元结构和低阻抗金属化层，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，其核心设计平衡了导通电阻、栅极电荷和结电容等关键参数，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和7.5A的连续漏极电流(Id)能力，使其在低压大电流应用场景中表现出色。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压(Vgs)和7.8A漏极电流条件下，最大值仅为18毫欧，这意味着在导通状态下产生的功耗极低，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，确保了与主流逻辑电平控制器和驱动芯片的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DMN3025LFG-13的栅极总电荷(Qg)在10V Vgs下最大值为11.6nC，输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为605pF，这些参数共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关过程中的交叠损耗，适用于高频开关应用。器件允许的栅源电压(Vgs)范围为±20V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其最大功耗为2W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合表面贴装形式，能够适应严苛的工业环境并满足高密度PCB布局的需求。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关服务。

凭借其优异的电气性能和坚固的物理特性，这款MOSFET非常适合作为负载开关、电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流或主开关管，广泛应用于消费电子、计算机周边设备、工业自动化控制模块以及便携式电池供电设备等领域的电源管理和功率驱动电路中，是实现高效、紧凑型电源解决方案的关键元件之一。

• 型号:DMN3025LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 7.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:605 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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