DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的8引脚SO封装，专为表面贴装应用而设计，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。通过优化的单元设计和制造工艺，它在硅片层面实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，为空间受限且对性能有要求的应用提供了一个可靠的半导体解决方案。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值仅为20毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率并减少热管理需求。其栅极阈值电压最大值为2V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。同时，低至13.2nC的栅极电荷(Qg)与641pF的输入电容(Ciss)相结合，确保了快速的开关转换速度，这对于高频开关应用至关重要，能有效降低开关损耗。

在电气参数方面，DMN3025LSS-13的额定漏源电压为30V，在环境温度25°C下连续漏极电流可达7.2A，最大功耗为1.4W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。这些接口与参数特性使其能够轻松适配标准的逻辑电平或更高电压的驱动电路，用户在选择DIODES中国代理提供的相关产品时，可获得完整的技术支持与供应链服务。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类便携式设备的电源管理单元。其表面贴装形式和稳健的电气特性，使其成为消费电子、工业控制及通信设备中实现紧凑、高效功率路径设计的理想选择。

• 型号:DMN3025LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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