DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的制造工艺确保了器件在开关应用中具备出色的电气性能和可靠性。

该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）极低，在10V驱动电压和10A电流条件下，典型值仅为18.6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，最大值分别为11.3nC @ 10V和580pF @ 15V，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，并减轻了栅极驱动电路的设计负担。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或数字信号处理器直接驱动。

在电气参数方面，DIODES中国代理提供的这款器件额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达5.3A，最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了宽裕的安全工作范围。其采用表面贴装型封装，具有良好的散热性能和机械强度，工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境要求。这些接口与参数特性使其成为需要高电流处理能力和高效热管理的应用的理想选择。

基于其优异的性能组合，DMN3027LFG-13非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类便携式设备、网络设备和消费电子产品的电源管理模块。其高效率和快速开关特性有助于延长电池续航时间，并减少系统发热，提升终端产品的可靠性和用户体验。

• 型号:DMN3027LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18.6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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