DMN3030LSS-13

DMN3030LSS-13是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术，在紧凑的8-SOP表面贴装封装内集成了高性能的功率开关单元。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精心的版图设计和工艺控制，实现了在低栅极电荷下的快速开关性能，同时确保了在30V漏源电压下的高可靠性。这种设计使其成为需要在有限空间内实现高效功率控制的现代电子系统的理想选择。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达9A，能够处理可观的负载电流。其导通电阻(Rds(on))在10V栅源电压(Vgs)和9A漏极电流条件下典型值仅为18毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。器件具有宽泛的栅极驱动电压范围，在4.5V的低驱动电压下即可实现良好的导通特性，同时栅源电压最大可承受±25V，提供了较强的抗栅极噪声能力。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为25nC @ 10V，结合741pF @ 15V的输入电容(Ciss)，意味着所需的栅极驱动功率小，开关速度快，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，DMN3030LSS-13定义了清晰的工作边界。其最大漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。阈值电压(Vgs(th))最大值为2.1V @ 250A，确保了与标准逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性。器件的最大功耗为2.5W (Ta)，其结温(TJ)工作范围覆盖-55°C至150°C，提供了在苛刻环境下的稳定运行能力。其表面贴装型的8-SOP封装符合自动化生产要求，有助于提升生产效率和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是确保产品正品和供应链安全的重要途径。

基于其优异的性能组合，DMN3030LSS-13非常适合多种中低压、中电流的功率管理应用场景。它常被用于DC-DC转换器的同步整流或主开关、电机驱动电路中的H桥臂、以及负载开关等。在服务器、通信设备、消费类电子产品的电源模块中，它能有效提升能效。此外，在电池管理系统(BMS)、电动工具、无人机电调等对功率密度和效率有较高要求的领域，该器件也能发挥重要作用。其平衡的性能参数使其成为工程师在30V电压等级下进行功率开关设计的通用且可靠的选择。

• 型号:DMN3030LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:741 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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