DMN3052LSS-13

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道功率MOSFET，DMN3052LSS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。该器件基于成熟的平面工艺，在单一硅片上集成了高密度单元，以优化电流导通能力与开关速度的平衡。其内部结构经过精心设计，确保了在导通状态下具有极低的电阻，同时在关断状态下能有效承受一定的电压应力，为系统提供了可靠的性能基础。

该MOSFET的功能特点突出表现在其优异的电气参数上。其漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于常见的低压电源和负载开关场景。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值高达7.1A，展现出强大的电流处理能力。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压(Vgs)和7.1A漏极电流条件下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为30毫欧。这种低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和发热，显著提升了系统的整体能效。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.2V，且驱动电压范围在2.5V至10V即可实现良好的导通，这意味着它能够与多种逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了外围驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型的8-SOP封装，符合现代电子设备小型化、高密度组装的需求。其输入电容(Ciss)在5V漏源电压下最大值为555pF，这一参数影响着开关速度与驱动电路的设计考量。器件允许的栅源电压(Vgs)最大值为±12V，为驱动信号提供了安全裕度。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的DIODES代理渠道，工程师仍可能获取库存或寻找功能兼容的替代方案，以支持既有产品的维护与生产。

基于其技术规格，DMN3052LSS-13非常适合于多种低压、大电流的开关应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关管、电机驱动控制电路、电池管理系统中的负载开关与保护电路，以及各类电源分配单元。其快速开关特性和低导通损耗使其在追求高效率的便携式设备、计算机外围设备和工业控制模块中都能发挥重要作用，为系统实现紧凑、高效的功率管理解决方案提供了可靠的半导体器件选择。

• 型号:DMN3052LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 7.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:555 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购DMN3052LSS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。