DMP1007UCB9-7

DMP1007UCB9-7是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的U-WLB1515-9（C类）超薄晶圆级芯片尺寸封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构针对低电压、大电流开关应用进行了深度优化。其P沟道设计简化了在负载位于电源与开关之间的高侧开关配置中的栅极驱动电路，无需额外的电荷泵或电平转换电路，从而有效降低了系统复杂性和成本。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻与出色的电流处理能力。在4.5V栅源电压驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至5.7毫欧（@2A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其连续漏极电流（Id）在环境温度下可达13.2A，结合仅8.2nC（@4.5V）的低栅极电荷（Qg），使得器件能够实现快速高效的开关切换，同时将开关损耗控制在较低水平。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.1V，配合2.5V至4.5V的标准驱动电压范围，确保了与多种低压微控制器和逻辑电路的直接兼容性。

在电气参数方面，DMP1007UCB9-7的漏源击穿电压（Vdss）为8V，适用于常见的3.3V或5V电源轨系统。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±6V，提供了可靠的栅极保护裕量。器件的输入电容（Ciss）在4V条件下最大为900pF，较低的电容值有助于进一步降低驱动损耗并提升开关速度。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装型封装，确保了在严苛环境下的可靠性与紧凑的PCB布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的便携式电子设备、计算平台以及消费类产品中。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理单元（PMU），用于负载开关、电池充电管理以及DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关。此外，在低压电机驱动、热插拔保护电路以及各类需要高效功率路径控制的模块中，它也能发挥关键作用。

• 型号:DMP1007UCB9-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-WLB1515-9（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:8 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:840mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-WLB1515-9（C 类）
• 封装/外壳:9-UFBGA，WLBGA
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