DMN3061SVT-13

DMN3061SVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进工艺制造的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用紧凑的TSOT-26（SOT-23-6）封装，集成了两个性能匹配的独立MOSFET，其核心设计旨在提供优异的开关性能与功率密度。其30V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在常见低压直流总线应用中的可靠性与安全裕度，而双通道的集成架构为需要多路开关或同步控制的设计节省了宝贵的PCB空间。

该MOSFET的关键电气特性使其在高效功率转换与控制中表现出色。在10V栅极驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至60毫欧（在3.1A条件下），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或数字信号处理器直接驱动，简化了驱动电路设计。此外，较低的栅极电荷（Qg，最大值6.6nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值278pF @ 15V）显著减少了开关过程中的充放电时间与能量损失，使其非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件在25°C环境温度下可支持高达3.4A的连续漏极电流，最大功耗为880mW。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛环境下的稳定运行。表面贴装型的TSOT-26封装符合现代电子装配的自动化生产要求。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目，通过DIODES授权代理进行采购是确保产品正宗与获取完整技术资料的有效途径。

基于其高性能与高集成度的特点，DMN3061SVT-13非常适用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括便携式设备的负载开关与电源路径管理、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、电机驱动中的H桥电路、以及电池保护模块等。其双通道设计尤其适合需要互补或独立控制双路信号或电源线的系统，为工程师提供了灵活而高效的解决方案。

• 型号:DMN3061SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:278pF @ 15V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
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