DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的8引脚SO封装，其核心设计旨在实现高电压下的高效功率开关与信号处理。其100V的漏源击穿电压（Vdss）为电路提供了宽裕的安全工作裕度，而N沟道增强型结构使其在正向栅极电压驱动下导通，符合主流逻辑电平驱动的设计习惯。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的导通特性与开关特性平衡上。在10V栅极驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至23毫欧（在20A电流条件下测量），这一低导通电阻直接转化为更低的通态损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为21.4nC，结合1544pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量较小，有助于实现高速开关并降低驱动损耗，这对于高频开关电源和电机驱动应用至关重要。

在电气参数方面，DMT10H025SSS-13在环境温度25°C下可支持高达7.4A的连续漏极电流，其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了较强的抗栅极电压过冲能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力和明确的导通/关断状态。器件的结温工作范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装（SMT）工艺，适合自动化生产，满足工业级应用的可靠性要求。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其100V的耐压、低导通电阻和快速开关能力，这款MOSFET非常适合应用于DC-DC转换器、电机控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中，作为主开关或同步整流元件。它能够有效提升系统的功率密度和能效，是空间受限且对效率有高要求的现代电子设备的理想选择。

• 型号:DMT10H025SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1544 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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