DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SC-59（SOT-23-3）表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的优异平衡，为空间受限的现代电子设备提供了高效的功率开关解决方案。

该MOSFET的架构优化了单元密度与沟道设计，使其在较低的栅极驱动电压下即可实现深度导通。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和4.2A Id条件下仅为40毫欧，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，并与4.5V/10V的标准驱动电压兼容，使其能够轻松被微控制器或低压逻辑电路直接驱动，简化了系统设计。

在动态性能方面，DMN3070SSN-7表现出色。其最大栅极总电荷（Qg）仅为13.2nC，结合697pF的典型输入电容（Ciss），确保了极低的栅极驱动损耗和快速的开关转换速度，这对于高频开关应用至关重要。器件额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）高达4.2A，最大功率耗散为780mW，并支持-55°C至150°C的宽结温范围，提供了可靠的性能余量和环境适应性。

凭借其高效率、小尺寸和易于驱动的特点，该器件非常适合用于负载开关、电源管理模块、DC-DC转换器中的同步整流或功率分配路径。常见应用场景包括便携式设备（如智能手机、平板电脑）、电池供电工具、低压电机驱动以及各类消费电子产品的板载电源控制。对于需要稳定货源和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取此型号芯片及相关设计资源。

• 型号:DMN3070SSN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:697 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:780mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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