DMN3112S-7

DMN3112S-7是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-23-3表面贴装器件中。该器件设计用于在低电压、高电流开关应用中提供卓越的性能，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在实现高效率的功率转换与控制。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达5.8A的连续漏极电流(Id)能力，使其能够承受一定的功率负载。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压(Vgs)和5.8A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为57毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.2V，且标准驱动电压范围为4.5V至10V，这意味着它可以被常见的3.3V或5V逻辑电平轻松驱动，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DMN3112S-7的输入电容(Ciss)在5V Vds条件下最大值为268pF，结合其低栅极电荷特性，有助于实现快速的开关速度，减少开关过渡期间的损耗。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极抗干扰能力。其最大功耗为1.4W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定货源和专业技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是保障供应链顺畅的重要途径。

得益于其高电流密度、低导通电阻和快速开关性能，这款MOSFET非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。它常被用于DC-DC同步整流转换器中的低压侧开关、电机驱动控制电路、负载开关以及电池保护电路等。其SOT-23-3封装形式非常适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式电子设备、计算机外围设备、消费类电子产品及各种电源管理模块中，为设计工程师提供了一个高效、紧凑的功率开关解决方案。

• 型号:DMN3112S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 5.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:268 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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