DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。该器件基于成熟的硅基技术，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部结构经过优化以最小化寄生电容和栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供高效的功率控制能力。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和380mA的连续漏极电流(Id)额定值，适用于低电压、小电流的开关与信号调理应用。其关键优势在于优异的栅极驱动特性，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V，配合2.5V至10V的驱动电压范围，使其能够与多种微控制器和逻辑电平电路直接兼容，无需额外的电平转换电路。在10V Vgs条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。

在动态性能方面，DIODES授权代理提供的技术资料显示，该器件具有极低的栅极电荷(Qg，最大值0.9nC)和输入电容(Ciss，最大值23.2pF)，这直接转化为快速的开关瞬态响应和降低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其采用SOT-323表面贴装封装，占板面积小，符合现代电子设备高密度集成的需求。器件的结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行，最大功耗为300mW。

凭借其紧凑的尺寸、良好的电气性能以及与低压逻辑的兼容性，DMN63D8LW-13非常适合于空间受限的便携式设备、电池供电产品以及需要高效电源管理的场景。典型应用包括负载开关、电源路径管理、信号开关、电平转换，以及在电机驱动、LED照明控制等模块中作为驱动或保护元件使用，为设计工程师提供了一个高性价比且可靠的解决方案。

• 型号:DMN63D8LW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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