DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体结构，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关速度的平衡。其紧凑的SOT-26封装集成了优化的单元结构，确保了在有限的芯片面积内实现优异的电流处理能力和热性能，结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计提供了宽泛的温度裕度。

该MOSFET的关键电气特性使其在低压应用中表现突出。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）额定值可达3.2A。尤为重要的是，其导通电阻（Rds(on)）在驱动电压Vgs为4.5V、漏极电流Id为6A的条件下，最大值仅为60毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其阈值电压Vgs(th)最大值为1V，且驱动电压范围宽至±8V，与低电压逻辑电平（如1.8V, 3.3V, 5V）具有良好的兼容性，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了栅极驱动电路的设计。

在动态参数方面，DMN3115UDM-7在Vds为15V时的输入电容（Ciss）最大值为476pF，结合其低栅极电荷特性，共同决定了其快速的开关瞬态响应能力，有助于降低开关过程中的功率损耗。器件采用表面贴装型SOT-26封装，占板面积小，适合高密度PCB布局，最大功耗为900mW（Ta）。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术资料、样品及采购支持。

凭借其综合性能，该器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的现代电子系统中。其主要应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池供电设备的电源管理模块（如移动电源、便携式设备），以及各类需要高效功率切换的消费类电子产品和工业控制板卡。其稳健的设计和参数表现，使其成为低压、中电流开关应用的理想选择。

• 型号:DMN3115UDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:476 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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