DMN31D5L-13

DMN31D5L-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23封装，其核心架构旨在实现低栅极电荷与低导通电阻之间的优化平衡，从而在开关应用中提供高效率与快速响应。其栅极氧化层经过精心设计，确保了稳定的阈值电压和可靠的栅极控制能力，为系统设计提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达500mA，适用于低压电源环境。极低的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.6V，配合2.5V至4V的驱动电压范围，使其能够轻松被微控制器GPIO口或低电压逻辑电路直接驱动，极大简化了前级驱动设计。在4V Vgs、10mA Id条件下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为1.5欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。此外，其栅极总电荷(Qg)最大值低至1.2nC，输入电容(Ciss)最大值仅为50pF，这些参数共同决定了其极快的开关速度，能有效减少开关过渡过程中的损耗，适用于高频开关场合。

在接口与参数方面，该器件提供了宽泛的工作温度范围，结温(TJ)支持-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。其采用表面贴装型SOT-23封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也符合现代电子设备小型化、高密度的装配趋势。最大允许栅源电压(Vgs)为±20V，为栅极驱动提供了充足的安全裕量。其最大功耗为350mW，设计时需结合散热条件进行考量。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其优异的性能组合，DMN31D5L-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常用于电源管理单元的负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。在工业控制领域，它可以用于驱动小型继电器、LED灯串或作为传感器信号的通路开关。此外，在各类消费电子产品的板载电源分配、电机控制（如小型风扇）及接口保护电路中，它也是一款高性价比的解决方案。

• 型号:DMN31D5L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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