DMN31D5L-7

DMN31D5L-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其紧凑的SOT-23封装内部集成了优化的单元结构，确保了在有限的芯片面积内获得优异的电流处理能力和热性能，为空间受限的现代电子设计提供了可靠的半导体开关解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V，能够满足多种低压系统的需求。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)可达500mA，提供了可观的负载驱动能力。其关键优势在于极低的栅极驱动要求，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1.6V，并且在4V的Vgs驱动下即可获得较低的导通电阻，这使得它能够轻松被微控制器GPIO口、低电压逻辑电路直接驱动，无需额外的电平转换或驱动放大电路，极大地简化了系统设计。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为1.2nC，结合输入电容(Ciss)最大值50pF，共同带来了极快的开关速度和极低的开关损耗，特别适合高频PWM应用。

在接口与参数方面，DMN31D5L-7提供了稳健的操作窗口。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的范围，增强了抗电压尖峰的能力。器件在10mA电流、4V栅极电压下的导通电阻(Rds(on))最大值为1.5欧姆，有效降低了导通状态下的功率损耗。其最大功耗为350mW，宽广的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。该器件采用标准的SOT-23表面贴装封装，便于自动化生产焊接。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道进行采购。

凭借其小尺寸、低驱动电压和高效率的特性，DMN31D5L-7非常适合应用于对空间和功耗敏感的各种便携式及电池供电设备中。典型应用场景包括负载开关、电源管理模块中的DC-DC转换器同步整流或负载切换、电机驱动中的H桥电路、LED调光驱动以及各类信号切换与保护电路。它是设计工程师在实现高效、紧凑型低压功率控制方案时的理想选择。

• 型号:DMN31D5L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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