DMN3270UVT-13

DMN3270UVT-13是一款由Diodes Incorporated推出的双N沟道MOSFET阵列，采用先进的平面工艺制造，集成于紧凑的TSOT-26封装内。该器件专为高密度、高效率的功率开关应用而设计，其核心架构基于两个独立的增强型MOSFET，共享一个优化的硅片布局，旨在最小化寄生参数并提升开关性能。每个通道均具备独立的栅极控制，允许在电路设计中实现灵活的配置，无论是用于对称的负载驱动还是非对称的开关逻辑。

该芯片的显著特性在于其优异的导通电阻与栅极电荷的平衡。在V_GS=4.5V、I_D=650mA的测试条件下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至270毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为3.07nC @ 4.5V，结合161pF @ 15V的输入电容（C_iss），确保了极快的开关速度和低驱动功耗，特别适合高频PWM应用。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为900mV，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或数字信号处理器直接驱动，简化了外围电路设计。

在电气参数方面，该器件具备30V的漏源击穿电压（BVDSS）和1.6A的连续漏极电流能力，提供了稳健的电压裕量和足够的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并符合AEC-Q101标准，满足汽车电子应用的严苛可靠性要求。紧凑的TSOT-26表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了热性能，其760mW的最大功耗能力需结合适当的PCB散热设计来实现。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，通过DIODES授权代理进行采购是确保产品正宗性和可获得性的推荐途径。

基于其双通道、低导通电阻、快速开关以及车规级可靠性的特点，DMN3270UVT-13非常适用于空间受限且要求高效率的现代电子系统。典型应用场景包括便携式设备的负载开关与电源路径管理、DC-DC转换器中的同步整流或功率级开关、电机驱动中的H桥预驱动电路，以及汽车领域中的车身控制模块（BCM）、LED照明驱动和传感器电源开关等。其设计充分考虑了在噪声环境下的稳定运行，是工程师在追求功率密度与可靠性平衡时的优选解决方案。

• 型号:DMN3270UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 1.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 40A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.07nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:161pF @ 15V
• 功率 - 最大值:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
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