DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-523封装，其核心架构旨在实现低电压驱动下的高效开关控制。其栅极结构经过优化，实现了较低的栅极阈值电压（Vgs(th)）和极小的栅极电荷（Qg），这使得它能够被微控制器或低功耗逻辑电路直接驱动，显著简化了外围驱动电路的设计。

该MOSFET在功能上表现出色，其30V的漏源击穿电压（Vdss）为低压应用提供了充足的裕量，而115mA的连续漏极电流（Id）能力则使其非常适合小功率信号切换或负载驱动。一个关键特性在于其优异的导通电阻（Rds(on)）表现，在4V栅源电压（Vgs）和10mA漏极电流条件下，其最大值仅为5欧姆，这有助于在导通状态下最小化功率损耗和压降，提升系统整体能效。其输入电容（Ciss）最大值仅为48pF @ 5V，结合极低的栅极电荷，共同确保了高速的开关性能和极低的开关损耗。

在接口与电气参数方面，该器件支持宽范围的栅极驱动电压，最大可达±20V，但典型驱动电压在2.5V至4V之间即可获得良好的导通特性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。表面贴装的SOT-523封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也符合现代电子设备高密度组装的需求。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理进行采购与咨询。

凭借其小尺寸、低驱动电压和高效能的特性，DMN33D8LT-13非常适合应用于空间受限且对功耗敏感的设备中。典型应用场景包括便携式电子设备（如智能手机、可穿戴设备）中的电源管理、负载开关、信号路由与电平转换。此外，它也常被用于电池供电系统、传感器模块、低功耗MCU的GPIO口扩展驱动以及各类需要高效、小型化开关解决方案的消费类和工业类电子产品中，是实现精密电路控制的高性价比选择。

• 型号:DMN33D8LT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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