DMTH4008LPS-13

Diodes Incorporated推出的DMTH4008LPS-13是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件，其核心设计旨在实现高效率与高可靠性的平衡。该器件基于优化的单元结构，在紧凑的PowerDI5060-8封装内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能，其漏源电压（Vdss）额定值为40V，能够满足多种中低压应用场景的耐压需求。

该MOSFET在电气特性上表现突出，其关键优势在于极低的导通损耗。在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为8.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在15.3nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得它在高频开关应用中也能保持优异的性能。其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）和符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，确保了其在严苛环境下的长期稳定运行，对于需要通过DIODES一级代理进行采购的汽车电子项目而言，这是一个重要的可靠性保障。

在接口与参数方面，DMTH4008LPS-13提供了灵活的驱动兼容性，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，且支持高达±20V的栅源电压，使其能够兼容3.3V、5V乃至更高的逻辑电平驱动。其电流承载能力根据散热条件不同而显著变化：在环境温度（Ta）下连续漏极电流为14.4A，而在管壳温度（Tc）下则可高达64.8A，这突显了良好散热设计对于充分发挥其性能潜力的重要性。器件采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其最大功率耗散在Tc条件下可达55.5W。

凭借其综合性能，DMTH4008LPS-13非常适用于对效率和空间均有要求的应用领域。在汽车电子中，它常被用于电机驱动、LED照明驱动及负载开关；在工业电源和消费类电子中，则是同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升降压拓扑）以及电池保护电路中的理想选择。其低导通电阻和高电流处理能力，使其成为提升终端产品能效和功率密度的关键元器件。

• 型号:DMTH4008LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.4A（Ta），64.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1088 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.99W（Ta），55.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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