DMN4026SK3-13

DMN4026SK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡。其40V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了稳健的电压裕量，而28A（Tc）的连续漏极电流额定值使其能够胜任中高功率的开关与线性调节任务。

该MOSFET的一个突出特性是其优异的导通性能，在10V栅极驱动电压（Vgs）和6A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为24毫欧。较低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，确保了该器件既能被微控制器等低压逻辑电平有效驱动，也能在更高驱动电压下获得更优的导通特性。其栅极电荷（Qg）最大值仅为21.3nC @ 10V，结合1181pF @ 20V的输入电容（Ciss），意味着快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与可靠性方面，DIODES中国代理提供的这款器件栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了其抗栅极电压瞬态冲击的能力。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。1.6W（Ta）的功率耗散能力要求设计者充分考虑散热，而TO-252封装本身也为通过PCB铜箔散热提供了便利。

基于上述技术特性，DMN4026SK3-13非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路、电池保护与负载开关，以及各类电源管理模块。其平衡的性能参数使其成为工业控制、消费电子和汽车辅助系统中功率路径管理的可靠选择。

• 型号:DMN4026SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1181 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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