DMN4030LK3-13

DMN4030LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252-3（DPAK）表面贴装封装中。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部结构确保了良好的热性能与电气可靠性，为功率开关应用提供了一个稳健的基础平台。

该器件在功能上表现出色，其最大漏源电压（Vdss）为40V，能够满足多种中低压场景的需求。其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为30毫欧，这直接转化为更高的系统效率和更低的温升。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在12.9nC，结合适中的输入电容，有助于降低驱动电路的损耗并实现较快的开关速度，优化了整体开关性能。

在接口与参数方面，DIODES一级代理可提供该器件的完整技术支持。其驱动门限电压（Vgs(th)）最大值为3V，标准逻辑电平即可有效驱动，增强了设计的便利性。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了充足的驱动安全裕量。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定值为9.4A，结合2.14W（Ta）的最大功耗和TO-252封装良好的散热能力，使其能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，适应严苛的环境要求。

凭借其参数组合，DMN4030LK3-13非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类负载开关。其表面贴装形式和平衡的性能参数，使其成为空间受限且对效率和热管理有要求的消费电子、工业控制及汽车辅助系统等应用的理想选择。

• 型号:DMN4030LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:604 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购DMN4030LK3-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。