DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术制造，封装于TO-252（DPAK）表面贴装封装内。该器件设计用于在紧凑的物理尺寸内提供优异的功率处理能力和开关性能，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在实现高效率的功率转换和开关控制。

该MOSFET的突出特性在于其稳健的电压与电流规格。其漏源击穿电压（BVDSS）额定值为31V至40V，确保了在常见低压直流总线应用中的可靠运行。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达12.2A，展现出强大的电流承载能力，使其能够胜任主功率开关或同步整流等角色。其表面贴装型TO-252封装不仅有利于自动化生产，还提供了良好的热性能，便于通过PCB铜箔进行散热管理。

在接口与关键参数方面，低导通电阻（Rds(on)）是其核心优势之一，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。虽然原始参数列表中部分动态参数未明确列出，但该器件系列通常具备优化的栅极驱动特性，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的数据手册、应用支持以及供货保障。

基于其性能特点，DMN4036LK3Q-13非常适合广泛应用于各类低压、大电流的开关场景。典型应用包括但不限于DC-DC转换器（如降压、升压拓扑）、电机驱动控制、负载开关、电池保护电路以及低压电源管理系统。它在服务器、通信设备、消费类电子产品和工业自动化设备的电源模块中都能找到用武之地，是实现高效、紧凑型电源解决方案的关键元器件之一。

• 型号:DMN4036LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:453 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.12W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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