DMN55D0UT-7

DMN55D0UT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。该器件基于成熟的硅基技术，其核心架构旨在实现低栅极电荷与低导通电阻的优化平衡。其栅极结构经过精心设计，确保了在较宽的栅极驱动电压范围内具备稳定且快速的开关特性，这对于高频或需要精密控制的电路至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其极低的栅极阈值电压与紧凑的封装尺寸。其最大栅源阈值电压(Vgs(th))在250A漏极电流下仅为1V，这意味着它能够被微控制器或低电压逻辑电路（如1.8V, 3.3V系统）轻松且高效地驱动，显著简化了驱动电路设计并降低了系统功耗。同时，在4V栅源电压(Vgs)和100mA漏极电流(Id)条件下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为4欧姆，有效降低了导通状态下的功率损耗。其输入电容(Ciss)最大值在10V漏源电压下为25pF，较小的寄生电容有助于提升开关速度并减少开关损耗。

在电气参数方面，DMN55D0UT-7具备50V的漏源击穿电压(Vdss)，为其在多种低压电源环境中提供了充足的电压裕量。其连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下额定值为160mA，最大允许栅源电压(Vgs)为±12V，确保了应用的可靠性。器件采用超小型的SOT-523表面贴装封装，占板面积极小，非常适合高密度PCB布局。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境要求，最大功耗为200mW。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取正品器件与技术支持。

凭借其低电压驱动、低导通电阻和小型化封装的特点，该器件非常适合应用于空间受限且对效率有要求的便携式电子设备及物联网模块中。典型应用场景包括作为负载开关用于电源管理单元，控制子系统（如传感器、指示灯、背光）的供电通断；在信号路径中用作模拟开关或数字开关；亦或是用于驱动小型继电器、螺线管或作为其他功率器件的预驱动级。它在电池供电设备、手持仪器、智能穿戴设备以及各类消费电子产品的低功率开关电路中表现出色。

• 型号:DMN55D0UT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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