DMN55D0UTQ-7

Diodes Incorporated推出的DMN55D0UTQ-7是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过精密的半导体制造工艺，在微小的芯片面积上实现了优异的电气性能与可靠性。该器件采用紧凑的SOT-523封装，专为高密度PCB布局设计，其内部结构优化了载流子迁移路径，从而在低栅极驱动电压下即可获得较低的导通电阻。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达50V，提供了良好的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为160mA，适用于中小电流的开关或线性调节应用。其栅极阈值电压(Vgs(th))典型值较低，最大值在250A漏极电流下仅为1V，这意味着它能够与低电压逻辑电路（如1.8V, 3.3V MCU GPIO）实现良好的兼容性，简化了驱动电路设计。更关键的是，在4V的栅源电压(Vgs)和100mA的漏极电流条件下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为4欧姆，这一特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。

在接口与电气参数方面，DMN55D0UTQ-7展现了全面的性能平衡。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±12V的栅源电压，为设计提供了灵活性。输入电容(Ciss)在10V的漏源电压下最大值为25pF，较低的栅极电荷需求使得开关速度更快，并降低了对驱动电流的要求，特别适合高频开关应用。器件的功率耗散能力在环境温度下为200mW，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了其在严苛环境下的稳定运行。其表面贴装型SOT-523封装不仅节省空间，也符合现代自动化生产的标准。

凭借其紧凑的尺寸、低导通电阻以及与低压逻辑的兼容性，DMN55D0UTQ-7非常适合一系列空间受限且对效率有要求的应用场景。它常被用于便携式电子设备中的电源管理模块，如负载开关、电池保护电路以及DC-DC转换器的同步整流侧。在通信模块、传感器接口、以及各类消费电子产品的信号切换与电平转换电路中，它也能发挥重要作用。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理渠道获取此产品，以确保原装正品和技术支持。

• 型号:DMN55D0UTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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