DMN6013LFG-7

DMN6013LFG-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，集成于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件基于成熟的硅基工艺，其核心架构旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡，通过优化的单元设计和沟道布局，有效降低了导通损耗和栅极电荷，为高效率功率转换提供了硬件基础。

在功能特性上，该MOSFET展现出卓越的电气性能。其漏源击穿电压（Vdss）高达60V，能够承受较高的开关电压应力，适用于多种中压应用环境。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为13毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为55.4nC，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着开关速度快，驱动需求简单，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的鲁棒性与便利性。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定值为10.3A，在壳温（Tc）下可达45A，展现了强大的电流处理能力。其栅源电压（Vgs）支持±20V的最大范围，提供了较宽的驱动安全裕度。输入电容（Ciss）在30V条件下为2577pF，与其他参数共同决定了器件的动态开关特性。该器件采用表面贴装型PowerDI3333-8封装，具有良好的散热性能和较小的PCB占位面积，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取该产品及相关技术支持。

基于其性能组合，DMN6013LFG-7非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、电池管理系统（BMS）中的充放电控制，以及各类电源管理单元。其优异的开关性能和热特性使其成为空间受限且对能效有严格要求的消费电子、工业设备及通信基础设施中功率开关电路的理想选择。

• 型号:DMN6013LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2577 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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