DMN601WK-7

DMN601WK-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-323表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关速度的平衡，为空间受限的现代电子设备提供高效的功率开关解决方案。其内部结构优化了沟道迁移率和单元密度，确保了在低压驱动下即可获得优异的导通性能。

该MOSFET在10V栅源电压驱动下，导通电阻典型值低至2欧姆，这一特性使其在开关应用中能够显著降低传导损耗。其栅极阈值电压最大值为2.5V，并与4.5V至10V的标准逻辑电平兼容，这意味着它可以被微控制器或数字逻辑电路直接、高效地驱动，无需复杂的电平转换电路，简化了系统设计。高达60V的漏源击穿电压为其提供了宽裕的工作电压裕度，增强了系统在电压瞬变情况下的可靠性。

在电气参数方面，DIODES代理提供的技术资料显示，DMN601WK-7在25°C环境温度下可连续通过300mA的漏极电流，最大功耗为200mW。其输入电容最大值仅为50pF，较小的栅极电荷需求进一步降低了开关过程中的动态损耗，提升了高频开关应用的效率。器件的工作结温范围覆盖-65°C至150°C，确保了其在严苛工业环境或消费电子产品中的稳定运行。

凭借其小尺寸、高耐压和良好的开关特性，DMN601WK-7非常适用于需要高效功率管理的便携式设备、电池供电系统以及作为信号切换或负载开关。典型应用场景包括智能手机的电源路径管理、便携式医疗设备的负载控制、物联网传感器节点的电源开关，以及各类消费电子中LED背光或电机等小功率负载的驱动电路，是实现系统小型化和能效提升的关键元件。

• 型号:DMN601WK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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