DMPH6050SSDQ-13

Diodes Incorporated推出的DMPH6050SSDQ-13是一款符合AEC-Q101标准的车规级双P沟道功率MOSFET阵列，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET，其设计核心在于优化了功率密度与开关性能的平衡，通过先进的沟槽工艺技术，在有限的芯片面积内实现了低导通电阻与高电流处理能力，为空间受限的汽车电子和工业应用提供了高效的电源管理解决方案。

该芯片在25°C环境温度下，每个通道可连续通过高达5.2A的漏极电流，展现出强大的负载驱动能力。其关键性能指标在于极低的导通损耗，当栅源电压(Vgs)为-10V、漏极电流(Id)为-5A时，导通电阻(Rds(on))典型值低至48毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为-3V，确保了与低压逻辑电平（如3.3V或5V）控制信号的可靠兼容性，简化了驱动电路设计。

在动态开关特性方面，DMPH6050SSDQ-13同样表现出色。在Vgs为-4.5V时，栅极总电荷(Qg)最大值仅为14.5nC，较低的栅极电荷有助于减少开关过程中的充放电时间，从而降低开关损耗并支持更高频率的PWM操作。其输入电容(Ciss)在Vds为-30V时最大值为1525pF，合理的电容参数有助于平衡开关速度与EMI性能。器件采用表面贴装型封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，能够承受严苛的环境温度波动，满足汽车级应用的可靠性要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取完整的供应链服务。

凭借其双通道集成设计、优异的电气参数和车规级可靠性，DMPH6050SSDQ-13非常适用于需要高侧负载开关或电源路径管理的场景。典型应用包括汽车车身控制模块（如车窗升降、座椅调节、LED照明驱动）、电池管理系统中的负载断开开关、工业自动化中的电机预驱动以及各类便携式设备的电源分配单元。其设计在提升功率密度的同时，有效节省了PCB布局空间，是追求高可靠性、高效率和小型化设计的工程师的理想选择。

• 型号:DMPH6050SSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1525pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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