DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装8-SOIC封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的增强型MOSFET，其核心架构基于先进的平面工艺技术，旨在实现高功率密度与高效率的平衡。每个MOSFET均具备独立的源极和漏极引脚，为电路设计提供了灵活的布局选项，特别适合需要紧凑型多开关解决方案的应用。

该芯片的一个显著特点是其逻辑电平门驱动能力，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，这意味着它可以直接由3.3V或5V的微控制器、逻辑电路驱动，无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。在电气性能方面，其导通电阻(RDS(on))在10V Vgs和4.5A Id条件下典型值仅为40毫欧，这种低导通阻抗有效减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统的能源效率。同时，其最大连续漏极电流(Id)为5A，漏源击穿电压(Vdss)高达60V，确保了在多种负载条件下的可靠工作裕度。

在动态特性上，栅极总电荷(Qg)最大值仅为22.4nC，结合1287pF的输入电容，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，这对于高频开关应用至关重要。其最大功耗为1.3W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链的客户，可以通过DIODES芯片代理获取稳定的供货和技术支持。

凭借其紧凑的8-SOIC封装、优异的开关性能与导通特性，DMN6040SSD-13非常适合应用于空间受限且对效率要求高的领域。其主要应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、电池管理系统(BMS)中的保护与切换电路，以及各类便携式设备、消费电子和工业自动化设备中的电源管理模块。

• 型号:DMN6040SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1287pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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