DMN6068SE-13

DMN6068SE-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-223表面贴装器件中。其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在确保高可靠性的前提下，实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg）这一关键性能指标，这对于提升开关电源的效率至关重要。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至68毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和温升。同时，其最大栅极总电荷（Qg）仅为10.3nC，结合502pF的典型输入电容（Ciss），意味着它所需的驱动能量小，能够实现快速的开通与关断，有效降低开关损耗。其60V的漏源击穿电压（Vdss）与4.1A的连续漏极电流（Id）能力，使其在常见的12V至48V系统中拥有充足的电压裕量和电流处理能力，而高达±20V的栅源电压（Vgs）范围则提供了更强的栅极抗干扰性。

在接口与参数方面，DMN6068SE-13的阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，标准逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动器可以轻松可靠地将其开启。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其平衡的性能参数，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间均有要求的场景。例如，在DC-DC同步整流电路中作为下管，在电机驱动、继电器替代等H桥或半桥拓扑中作为开关元件，以及在各类负载开关、电源管理模块中。其SOT-223封装在提供良好散热性能的同时，也兼顾了PCB板面积，是空间受限的现代电子设备中功率开关部分的理想选择。

• 型号:DMN6068SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:68 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:502 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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