DMN6075S-7

DMN6075S-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的电气性能平衡，其核心设计旨在提供高效的功率开关与信号控制能力。其沟道结构经过优化，确保了在宽泛的栅极驱动电压范围内都能实现稳定且低损耗的导通状态，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和2A的连续漏极电流(Id)处理能力，为低压至中压应用提供了可靠的电压裕量。其导通电阻(Rds(on))特性尤为突出，在10V栅源电压(Vgs)和3.2A漏极电流条件下，最大值仅为85毫欧，这意味着在导通期间的功率损耗被降至极低水平。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，并与4.5V至10V的标准逻辑电平驱动电压良好兼容，使其能够轻松由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。

在动态特性方面，DMN6075S-7表现出色。其最大栅极电荷(Qg)在10V条件下仅为12.3nC，结合606pF的最大输入电容(Ciss)，共同决定了极快的开关速度，有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。器件允许的栅源电压(Vgs)范围为±20V，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。其结温(TJ)工作范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为800mW，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取此型号产品及相关技术支持。

凭借其综合性能，这款MOSFET非常适合空间受限且对效率有要求的应用场景。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的预驱动或小功率控制、电池供电设备的电源管理模块，以及各类需要高效功率切换的便携式电子设备、消费类产品和工业控制模块中。其SOT-23封装也使其成为替换传统插件式晶体管、实现产品小型化升级的理想选择。

• 型号:DMN6075S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:606 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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