DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高压环境下的可靠开关与控制。其结构优化了电场分布，确保了在高达600V的漏源电压下仍能保持稳定的电气隔离与性能，同时通过精心的版图设计有效控制了寄生参数，为高频开关应用奠定了基础。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。高达600V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业级AC-DC转换、离线式开关电源等高压场合。其栅极驱动设计兼容性良好，在4.5V至10V的栅源电压范围内即可实现充分导通，这使其既能被标准的5V逻辑电平直接驱动，也能在更高驱动电压下获得更低的导通损耗。其导通电阻在10V Vgs、60mA Id条件下典型值为100欧姆，结合极低的栅极电荷（典型值1.7nC）和输入电容（最大值25pF），共同带来了卓越的开关性能，能够显著降低开关过程中的损耗并提升系统整体效率。

在电气参数与物理接口方面，DIODES芯片代理提供的技术资料显示，DMN60H080DS-7在25°C环境温度下的连续漏极电流额定值为80mA，最大功耗为1.1W。其栅极阈值电压最大值为3V，确保了良好的噪声抑制能力。器件采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，体积小巧，非常适合高密度PCB布局。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的工业与汽车环境，保证了在各种应用条件下的长期可靠性。

凭借其高压、低栅荷及小封装的特点，DMN60H080DS-7非常适用于需要高压侧开关或信号隔离的场合。典型应用包括离线式开关电源的启动电路、功率因数校正辅助电路、LED照明驱动器的初级侧控制，以及工业控制系统中作为高压信号切换或隔离驱动元件。其在消费电子、工业电源和智能家居设备的辅助电源模块中，为设计工程师提供了一个高效、紧凑且可靠的半导体开关解决方案。

• 型号:DMN60H080DS-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 欧姆 @ 60mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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