DMN60H3D5SK3-13

DMN60H3D5SK3-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其设计重点在于优化高压开关应用中的效率与可靠性。其核心在于实现了600V的高漏源击穿电压（Vdss）与较低的导通电阻（Rds(on)）之间的良好平衡，这得益于精细的单元设计和工艺控制，确保了在高压环境下仍能保持较低的传导损耗。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能。同时，输入电容（Ciss）也得到有效控制，这简化了栅极驱动电路的设计，并有助于实现更快的开关速度。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较宽的驱动安全裕度。其导通电阻在10V驱动电压、1.5A漏极电流条件下最大值为3.5欧姆，结合2.8A的连续漏极电流能力，使其能够在适中的功率等级下高效工作。高达41W的功率耗散能力（基于壳温）和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了其在严苛环境下的稳定运行与长寿命。

在接口与参数方面，该器件采用标准的三引脚TO-252封装，便于自动化贴装和生产。其关键静态参数，如最大栅极阈值电压Vgs(th)为4V（在250A漏极电流下测得），为逻辑电平或标准电平驱动提供了清晰的导通门槛。动态参数如Qg和Ciss的优化，直接关系到开关电源的整体效率。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品、技术支持与供货保障。

凭借其高压、中电流和优化的开关特性，DMN60H3D5SK3-13非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及工业电机控制中的辅助电源等应用场景。在这些领域中，它对提升系统能效、减小方案尺寸及增强可靠性方面能发挥关键作用。

• 型号:DMN60H3D5SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:354 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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