DMN60H4D5SK3-13

作为一款高性能的功率开关器件，DMN60H4D5SK3-13采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构基于N沟道设计，确保了在高压环境下高效、可靠的载流能力。该器件在单晶硅上集成了优化的单元结构，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关速度与导通损耗之间取得了优异的平衡。其内部结构经过精心设计，能够承受高达600V的漏源电压，为高压侧开关应用提供了坚实的基础。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为4.5欧姆（@1A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至8.2nC，意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关频率并降低驱动损耗，这对于高频开关电源设计至关重要。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。

在接口与关键参数方面，DIODES芯片代理提供的这款器件采用标准的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和便捷的组装工艺。其连续漏极电流在壳温条件下额定为2.5A，最大功耗可达41W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。输入电容（Ciss）最大值为273.5pF，与低栅极电荷特性相结合，进一步优化了开关动态性能。

基于其600V的高耐压、低导通电阻和快速开关特性，DMN60H4D5SK3-13非常适用于需要高效功率转换和管理的应用场景。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及电机控制中的逆变器模块。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减小解决方案尺寸，并增强整体可靠性。

• 型号:DMN60H4D5SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:273.5 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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