DMN6140L-13

Diodes Incorporated推出的DMN6140L-13是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体工艺，在紧凑的SOT-23封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件设计用于在广泛的栅极驱动电压下提供稳定可靠的开关与放大功能，其结构优化旨在降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和1.6A的连续漏极电流(Id)能力，为中小功率应用提供了充足的电压与电流裕量。其导通电阻(Rds(on))在10V栅源电压(Vgs)和1.8A漏极电流条件下，最大值仅为140毫欧，这一低导通阻抗特性对于减少传导损耗至关重要。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为8.6nC，输入电容(Ciss)也处于较低水平，这共同促成了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关过程中的功率损耗并提升工作频率。

在接口与参数方面，DMN6140L-13的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，且能承受高达±20V的栅源电压，这增强了其在各种逻辑电平接口电路中的兼容性和鲁棒性。其阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型SOT-23封装，占板面积小，适合高密度PCB布局。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，并能在环境温度(Ta)下耗散高达700mW的功率，保证了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号以确保产品正品与供货稳定。

凭借其综合性能，DMN6140L-13非常适用于多种需要高效功率管理的场景。它常被用于DC-DC转换器中的同步整流或负载开关，以提升转换效率。在电机驱动、继电器替换或螺线管控制等应用中，其快速的开关速度和高电流处理能力是关键优势。此外，它也适用于便携式设备、电池管理系统、电源适配器以及各类消费电子和工业控制模块中的功率切换与信号放大电路，是实现系统小型化与高效化的理想选择。

• 型号:DMN6140L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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