DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术构建，其核心设计旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。内部结构经过优化，有效降低了栅极电荷和寄生电容，这对于提升开关效率、减少开关损耗至关重要，使其在需要高频操作的电路中表现出色。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压额定值为60V，为负载开关和电源路径管理提供了充足的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流能力达到1.6A，能够满足中等电流应用的需求。其导通电阻表现优异，在10V栅源驱动电压、1.8A漏极电流条件下，典型值仅为140毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极阈值电压最大值为3V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其既能兼容3.3V逻辑电平，也能在更高驱动电压下获得更低的导通电阻。

在动态参数方面，DMN6140LQ-7的栅极总电荷典型值低至8.6nC，结合最大315pF的输入电容，确保了快速的栅极充放电速度和极短的开关转换时间，这对于降低高频应用中的开关损耗至关重要。器件采用坚固的SOT-23表面贴装封装，占板面积小，热阻性能良好，最大允许功耗为700mW。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道进行采购与咨询。

凭借其紧凑的封装、良好的电气性能与可靠性，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池供电设备的电源管理模块，以及各类需要高效功率切换的便携式电子产品和工业控制板卡中。

• 型号:DMN6140LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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