DMN61D9U-13

DMN61D9U-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。其60V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了充足的电压裕量，确保在多种开关应用中具备可靠的性能表现。

该MOSFET在5V栅源驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2欧姆（在50mA漏极电流条件下测得），这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，而推荐的驱动电压范围在1.8V至5V之间，这意味着它可以被兼容低电压逻辑电平（如1.8V, 3.3V, 5V）的微控制器或数字信号处理器直接、高效地驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。

在动态特性方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，DMN61D9U-13在4.5V Vgs下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为0.4nC，结合其30V Vds下最大28.5pF的输入电容（Ciss），共同决定了其极快的开关速度。这一特性对于高频开关应用至关重要，能够有效降低开关损耗，并允许使用更小的磁性元件。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定为380mA，最大功耗为370mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

综合其电气参数与封装特性，DMN61D9U-13非常适合应用于空间受限、对效率有高要求的便携式电子设备及低功耗系统中。典型应用场景包括负载开关、电源管理模块（如DC-DC转换器中的同步整流或负载侧开关）、电池保护电路、信号切换以及电机驱动中的预驱动级等。其SOT-23-3封装符合现代电子装配的自动化生产要求，便于实现高密度的PCB布局。

• 型号:DMN61D9U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:28.5 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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