DMN62D0LFB-7

Diodes Incorporated推出的DMN62D0LFB-7是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。其核心架构基于紧凑的3-X1DFN1006封装，实现了在极小的占板面积内集成高性能的功率开关功能。该器件采用表面贴装型设计，便于自动化生产，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和100mA的连续漏极电流(Id)能力，为低功率开关和信号切换应用提供了坚实的基础。其栅极驱动特性尤为突出，在低至1.5V的驱动电压下即可开启，而4V的驱动电压便能实现较低的导通电阻，这使其非常适用于由低电压逻辑电路（如微控制器GPIO口）直接驱动的场景。其导通电阻(RdsOn)在100mA电流、4V栅源电压下的典型值仅为2欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。

在动态性能方面，DIODES一级代理提供的详细参数显示，DMN62D0LFB-7拥有极低的栅极电荷(Qg)，在4.5V下最大值仅为0.45nC，同时其输入电容(Ciss)在25V下最大值为32pF。这些特性共同决定了器件具有快速的开关速度和极低的开关损耗，能够有效减少开关过程中的能量损失，并允许在高频开关电路中应用。此外，其栅源电压(Vgs)可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。

综合其电气参数与封装特性，DMN62D0LFB-7非常适合用于空间受限、对功耗和效率敏感的应用场景。典型应用包括便携式电子设备中的电源负载开关、电池管理电路中的保护开关、信号路径的选择与隔离，以及作为其他主功率器件的驱动级。其低阈值电压和低栅极电荷特性，使其能够无缝对接现代低功耗微处理器，是设计紧凑型、高效率电子系统的理想选择。

• 型号:DMN62D0LFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.45 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:470mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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