DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过优化的沟道设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。该器件旨在为空间受限的现代电子设备提供高效、可靠的开关与信号放大解决方案。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和340mA的连续漏极电流(Id)能力，为低压至中压应用提供了充足的裕量。其关键优势在于极低的栅极驱动需求，栅极阈值电压(Vgs(th))最大仅为1V，并且能够在1.8V的低驱动电压下实现较低的导通电阻，这使得它非常适合由微控制器、低电压逻辑电路或电池直接驱动的场合。在4.5V的Vgs驱动下，其导通电阻(Rds(on))典型值进一步降低，有效减少了导通状态下的功率损耗。

在动态特性方面，DIODES代理提供的技术资料显示，栅极电荷(Qg)最大值仅为0.5nC，输入电容(Ciss)也保持在很低的水平。这些参数共同决定了极快的开关速度和极低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色，同时也有助于简化驱动电路的设计。器件采用SOT-323表面贴装封装，占板面积小，符合自动化贴装生产要求，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命。

凭借其综合性能，DMN62D0UW-13广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、信号路由以及各类需要高效功率控制的模块中。它是工程师在追求小型化、高效率和低成本设计时的理想选择之一。

• 型号:DMN62D0UW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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