DMP3008SFG-13

DMP3008SFG-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。其核心架构针对低导通损耗和高效率进行了优化，通过精密的沟道设计和工艺控制，实现了在P沟道器件中优异的低导通电阻（Rds(on)）特性，典型值低至17毫欧（在10A，10V条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体能效。

该器件具备30V的漏源电压（Vdss）额定值和高达8.6A（Ta）的连续漏极电流能力，为负载开关、电源路径管理和电机控制等应用提供了宽裕的电压与电流余量。其栅极驱动特性表现出色，最大栅源阈值电压（Vgs(th)）仅为2.1V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够轻松兼容3.3V和5V逻辑电平，简化了驱动电路设计。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值47nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值2230pF @ 15V）有效降低了开关过程中的损耗，提升了高频开关性能，并有助于减少驱动级所需的电流。

在接口与参数方面，DMP3008SFG-13支持±20V的最大栅源电压，提供了较强的栅极保护能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。900mW（Ta）的最大功率耗散能力与PowerDI3333-8封装优异的散热特性相结合，使其能在紧凑空间内处理可观的功率。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取此型号及相关技术支持。

得益于其综合性能，DMP3008SFG-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型应用包括便携式设备的电源管理单元（PMU）、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关、以及低压电机驱动和伺服控制。其表面贴装形式也完全适配现代自动化贴装生产线，有助于提升生产效率并降低组装成本。

• 型号:DMP3008SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2230 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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