DMN67D8LT-13

DMN67D8LT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于在紧凑的封装内实现高效率的功率开关与控制，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在降低开关损耗和传导损耗，从而提升系统整体能效。其内部结构经过精心设计，确保了在高压和快速开关条件下的稳定性和可靠性。

该MOSFET具备41V至60V的宽范围漏源击穿电压（BVDSS），这为其在多种电压环境中提供了坚固的电气保护屏障。极低的导通电阻（Rds(On)）是其显著特性之一，能够在给定的驱动电压下，有效减少功率损耗和发热，尤其适用于需要高电流处理能力的应用。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性使得器件能够实现快速的开关切换，这对于高频开关电源、电机驱动等对开关速度有严格要求的场景至关重要，有助于减小驱动电路的负担并提升系统响应速度。

在接口与关键参数方面，DMN67D8LT-13采用了超小型的SOT-523（SC-89）表面贴装封装。这种封装形式不仅极大地节省了PCB板空间，满足了现代电子产品日益增长的小型化、高密度集成需求，其卷带包装（T&R）也完全适配自动化贴片生产流程，提升了大规模制造的效率与一致性。其稳健的电气参数组合，包括宽泛的工作温度范围和良好的热性能，确保了器件在严苛环境下的长期稳定运行。对于寻求可靠供应链的客户，通过正规的DIODES芯片代理渠道可以获得完整的技术支持与供货保障。

基于其技术特性，DMN67D8LT-13非常适合应用于空间受限且对效率要求高的领域。典型应用场景包括便携式设备的负载开关与电源管理、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关、小型有刷直流电机的驱动控制，以及各类消费电子和工业控制模块中的功率分配电路。其出色的性能与微型封装的结合，使其成为工程师在设计紧凑型、高效率电源解决方案时的理想选择。

• 型号:DMN67D8LT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:821 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:260mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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