DMP57D5UFB-7

DMP57D5UFB-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率开关器件。该器件基于成熟的平面MOSFET工艺制造，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其紧凑的3-X1DFN1006封装（也称为3-DFN）专为高密度表面贴装应用而设计，在极小的占板面积内集成了高性能的功率处理能力，同时确保了良好的热性能，以满足现代电子设备对空间和效率的严苛要求。

该器件的主要特性围绕其作为P沟道MOSFET的性能展开。它具备50V的漏源击穿电压(Vdss)，为低压至中压应用提供了充足的电压裕量。在栅源驱动电压(Vgs)为4V时，其导通电阻(Rds(on))典型值较低，在100mA漏极电流下最大值为6欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且驱动电压范围在2.5V至4V即可实现良好的导通，这使得它能与常见的3.3V或5V逻辑电平直接兼容，简化了驱动电路设计。此外，其输入电容(Ciss)在4V下最大仅为29pF，较小的栅极电荷需求有助于实现快速的开关速度，减少开关损耗。

在电气参数方面，DMP57D5UFB-7在25°C环境温度下的连续漏极电流(Id)额定值为200mA，最大功耗为425mW。其栅源电压(Vgs)可承受±8V的最大值，为栅极驱动提供了安全操作区。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户，通过DIODES一级代理进行采购是获取正品器件和完整服务的可靠途径。

凭借其小尺寸、逻辑电平驱动和适中的电流电压处理能力，这款MOSFET非常适合空间受限的便携式电子设备、电池供电设备以及需要高效电源管理的场景。典型应用包括作为负载开关用于电源轨的切换、在电池保护电路中控制充放电通路、用于IO端口的电平转换，或驱动小型电机、继电器等感性负载。其表面贴装封装也使其成为自动化大批量生产的理想选择。

• 型号:DMP57D5UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:29 pF @ 4 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:425mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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