DMN67D8LT-7

Diodes Incorporated推出的DMN67D8LT-7是一款采用先进工艺制造的N沟道增强型MOSFET，其核心设计旨在实现高效率的功率开关控制。该器件采用紧凑的SOT523封装，在极小的占板面积内集成了高性能的功率处理能力，其架构优化了电流通路与热管理路径，确保了在连续工作状态下的稳定性和可靠性。其栅极结构经过特别设计，能够快速响应控制信号，实现从关断到导通的迅速切换，这对于高频开关应用至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气性能。漏源击穿电压(BVDSS)额定值为41V至60V，提供了宽泛的安全工作裕度，能够有效抑制电压尖峰和瞬态干扰。极低的导通电阻(Rds(on))是其另一核心优势，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率，尤其在电池供电或对能效要求苛刻的场景中价值显著。此外，其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数，使得驱动电路的设计更为简便，有助于降低开关损耗并提升开关频率。

在接口与参数方面，DMN67D8LT-7兼容标准的表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产。其电气参数经过严格测试，确保在规定的电压、电流和温度范围内性能一致。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的设计项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，是保障器件来源可靠性和获取完整技术资料的有效途径。该器件的静态和动态参数平衡得当，使其能够在多种偏置条件下保持预期性能。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率敏感的各种电子设备中。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、便携式设备的电源管理模块、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑，以及电池保护板上的放电控制开关。其在消费电子、通信模块、工业控制及汽车辅助系统等领域均有广泛的适用性，是工程师实现高效、紧凑电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMN67D8LT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:821 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:260mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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