ZVP3310FTC

作为一款由Diodes Incorporated设计生产的P沟道增强型MOSFET，ZVP3310FTC采用了成熟的平面MOSFET技术，其核心架构基于金属氧化物半导体场效应晶体管原理。该器件在紧凑的SOT-23-3封装内集成了高性能的P沟道功率开关，其栅极氧化层经过优化，确保了在较宽电压范围内的稳定性和可靠性。其内部结构旨在实现低栅极电荷和快速的开关特性，这对于需要高效能开关控制的应用至关重要。

该器件的一个突出特性是其高达100V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够耐受较高的电压应力，适用于存在电压尖峰或需要高压隔离的电路环境。在驱动方面，它仅需10V的栅源电压(Vgs)即可在导通时实现较低的导通电阻，典型条件下，当漏极电流为150mA、Vgs为10V时，其导通电阻(Rds(on))最大值为20欧姆。其阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V（在1mA漏极电流条件下测得），这为逻辑电平控制提供了良好的兼容性，便于由微控制器或数字逻辑电路直接驱动。

在电气参数方面，ZVP3310FTC在25°C环境温度下的连续漏极电流(Id)额定值为75mA，最大功耗为330mW。其输入电容(Ciss)在Vds为25V时最大值为50pF，较低的输入电容有助于减少开关过程中的驱动损耗并提升开关速度。器件支持±20V的栅源电压范围，为栅极驱动设计提供了充足的裕量。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业温度环境下的稳定运行。标准的表面贴装SOT-23-3封装使其非常适合于高密度PCB布局，工程师在选型时可通过正规的DIODES代理商获取详细的技术资料与供货支持。

凭借其高压耐受能力、逻辑电平兼容的驱动特性和小尺寸封装，该MOSFET非常适合应用于空间受限且需要高压侧开关或负载切换的场合。典型应用包括便携式设备的电源管理模块、电池供电系统中的负载开关、通信设备中的信号切换，以及工业控制电路中作为接口驱动器或保护开关。其设计平衡了电压能力、电流处理与封装尺寸，为工程师在高压、低功耗的开关解决方案中提供了一个可靠的选择。

• 型号:ZVP3310FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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